凌存科技完成千万级pre-A融资，与乾融控股携手布局第三代高速存储芯片赛道

5月5日，苏州凌存科技有限公司完成数千万元pre-A轮融资。本轮投资由乾融控股领投，国芯科技、创耀科技和深圳创享投资跟投。本轮融资将助力凌存科技进一步加速第三代高速、低功耗、高密度磁性存储器MeRAM的产业化落地，换道超车，让国产新型存储芯片在国际上实现领先优势。 

凌存科技

凌存科技(Instontech)总部位于苏州工业园区，主要业务为开发第三代电压控制磁性存储器（Voltage-Controlled MRAM）。其核心团队有多年研发和产业经验，公司目前已获得多项电压控制磁性存储器核心专利授权，其中涉及器件设计、电路设计、材料和工艺整合技术等，并且已成功开发出世界首款高速、高密度、低功耗的存储器MeRAM原型机和基于MeRAM的真随机数发生器。 

凌存科技创始人兼CEO吴迪介绍，凌存科技主要业务包含两个板块： 
（1）芯片销售：开发基于VC-MRAM的高性能存储芯片MeRAM与真机数发生器芯片，广泛应用于车载电子、高性能运算、安全等领域；
（2）IP 授权：将公司存储介质、集成电路、系统及相关专利授权给有高效性运算以及安全芯片需求的公司自行开发相关产品。

 吴迪表示：“存储器一直是集成电路领域的高地，它的优劣在很大程度上决定各类运算芯片的性能。我们的团队是世界首个MeRAM技术的商业化团队，团队成员在电路设计、半导体工艺和材料上有10余年的研发经验，而我们的顾问团队中，还包括了国际知名学者、院士、高校教授及业内知名专家。”据悉，凌存科技与全球各大晶圆代工厂、设计公司以及研究机构一直保持密切合作，以推动电压控制磁性存储器量产为己任，同时希望助力国内半导体行业，实现存储器领域的跨越式超越。 

签约仪式

作为此次的领投方，乾融控股董事长叶晓明认为，在信息技术高速发展的今天，硬件的创新突破是个不可逆的趋势，其中，以MRAM、ReRAM、FeRAM等为代表的新一代非易失性存储技术尤为关键，是跨越所有硬件领域的基石，也是未来达到存算一体架构的重要因素。凌存科技的团队在创业前已攻克新一代高速磁性存储器的所有核心技术和难点，目前正在积极推进产业化落地，相信很快能在市面上看到凌存的产品。乾融始终坚持“投早期、投硬核、投创新”的三大要素，对硬科技领域的新型技术全力以赴在各方面提供赋能和孵化，让我们投资的企业不仅做到“国产替代”，还要实现“换道超车”，在世界竞争格局中占有一席之地。

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责任编辑： 小艺