研微半导体完成A轮首批数亿元融资，由多家头部产业投资机构联合领投  

金属ALD设备：2024年11月研微交付首台300mm金属原子层沉积设备，技术上已达到国际领先水平，能够有效应对制程推进和线宽缩小所带来的电阻率上升问题，成功填补国内空白金属原子层沉积领域的空白，一举解决这一长期困扰行业发展的难题。

PEALD设备：2025年4月单月实现“双交付”：研微Auratus设备同期交付国内头部逻辑芯片企业及先进封装客户，历时18个月全面覆盖逻辑、存储、先进封装三个赛道，为半导体芯片制造提供完整的解决方案。

研微半导体聚焦高端ALD、PECVD以及特色外延设备研发，生产具有自主知识产权且具备国际竞争力的产品，涵盖Thermal ALD、PEALD、SI EPI、SiC EPI 、PECVD等，核心团队由国际头部设备企业前资深专家领衔，研发人员硕博占比超60%，产品广泛应用于高端集成电路、功率器件、射频元件及先进封装领域。